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      企業SSD中DDDR3 STT-MRAM

      供稿:英尚微電子 2020/1/13 14:13:04

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      • 關鍵詞: DDDR3 STT-MRAM everspin
      • 摘要:使用everspin自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)和DRAM上的DRAM的SSD架構優勢。SSD控制器的DDR總線,并使用STT-MRAM替代DRAM來提供高速,非易失性緩存。

      隨著企業固態驅動器(SSD)在系統性能和更小的外形尺寸方面不斷前進,SSD解決方案提供商面臨著更大的挑戰。在提高密度及耐用性,性能和添加重要的新功能的同時,還需要繼續保護飛行中的數據免受電源故障的影響。

      通過使用更多具有更快接口速度的閃存通道和更高密度的閃存設備,下一代SSD將迅速增長到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存儲器的控制器的傳統體系結構,這將大大增加對能量存儲以提供電源故障保護的需求,從而以固定的形式減少存儲陣列的可用空間。這些下一代設備還將需要新功能,包括高級CMB緩沖,在線加密,重復數據刪除和壓縮。

      使用
      everspin自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)和DRAM上的DRAM的SSD架構優勢。

      SSD控制器的DDR總線,并使用STT-MRAM替代DRAM來提供高速,非易失性緩存。這些應用程序使設計能夠:
      ?減少閃存陣列中的寫放大
      ?提高性能并減少延遲
      ?減少斷電能量存儲,而不會影響數據保護
      ?提供高級的“設備上”持久CMB緩沖
      ?為高級應用程序提供非易失性存儲,包括重復數據刪除和壓縮

      審核編輯(王靜)
      更多內容請訪問 英尚微電子(http://home.gongkong.com/profile/?uid=S019112716274600001)

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